特點:
·自主閉環可控生(shēng)産高一(yī)緻性SOI敏感芯片和器(qì)件
·一(yī)體(tǐ)化(huà)緊湊裝配總成,結構期穩定可靠
·表壓、絕壓可組合,覆蓋低(dī)、中、高量程範圍
·多種壓力測量接口、電氣連接、信号傳輸模式,
·設計制造柔性組合流程,支持客戶定制
·應用領域——與不鏽鋼兼容的絕緣氣體(tǐ)和液體(tǐ)的壓力測量
主要技術性能(néng)指标
序号 | 項目 | 規格指标 | 備注 |
1 | 壓力接口路(lù)數 | 雙路(lù) | 三路(lù) | 四路(lù) |
|
2 | 壓力種類 | 表壓 絕壓 | 1* |
| 基準壓力量程 | 100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、30MPa、 | 1* |
2 | 過載能(néng)力 | ≥3倍基準量程(≤10MPa);≥1. 5倍基準量程(>10MPa); | 2* |
| 被測壓力介質 | 與不鏽鋼兼容的氣體(tǐ)和液體(tǐ) |
|
3 | 激勵電源 | 12±4VDC或 24±4VDC | 1* |
| 激勵使用類型 | 共用或獨立 |
|
4 | 單路(lù)最大功率 | ≤0.5W |
|
| 單路(lù)輸出負載 | ≥10mA |
|
5 | 輸出信号模式 | 0.5~5VDC | 1*、3* |
6 | 準确度 | ≤ ±0.25%FS(典型值) | 3*、4* |
7 | 準确度一(yī)緻性 | ≤ ±0.05%FS(典型值) | 3*、4* |
9 | 工作(zuò)溫度 | -55~+125℃ |
|
10 | 零點熱漂移 | SOI芯片:≤±0.6%FS/55℃(典型值) | 5* |
11 | 滿量程熱漂移 | SOI芯片:≤±0.8%FS/55℃(典型值) | 5* |
12 | 絕緣電阻 | >100MW | 3*、6* |
13 | 短期穩定性 | ≤±0.05%FS/8h(典型值) | 3*. |
14 | 長期穩定性 | <±0.1%FS/年(典型值) | 3*. |
15 | 電氣接線形式 | 多芯航空接插件 |
|
16 | 測量接口形式 | 螺紋 | |
17 | 重量 | <500g(雙路(lù))、<750g(三路(lù))、300g(四路(lù)) |
|
注:技術參數修改恕不通知
1*. 可用戶定制; 4*. 非線性數據計算(suàn)為(wèi)最小二乘法;
2*. 非靜壓,100MPa量程過載為(wèi)本量程上(shàng)限; 5*. 55℃溫區為(wèi)-30~25℃或25~80℃;
3*. 恒溫25℃; 6*. 100VDC。
可提供定制服務(wù),如(rú)有需求請與營銷人(rén)員(yuán)聯系。