特點:
·數字化(huà)系統協同設計、MEMS工藝制造
·SiO2層絕緣隔離擴散矽敏感電阻
·消除PN結反向飽和漏電流、時(shí)漂特性優化(huà)
·适應高寬工作(zuò)溫度範圍
·自補償恒流激勵滿量程熱漂移
·多種惠斯登電橋開/閉合連接形式
·應力匹配玻璃襯片隔離
·表壓、絕壓、差壓類型齊全
·覆蓋低(dī)、中、高寬壓力測量量程
主要技術指标
序号 | 項目 | 規格指标 | 備注 |
1 | 基準壓力量程 | 表壓、差壓 | 絕壓 |
|
0~1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10MPa | 100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100Mpa、150MP |
|
2 | 量程過載能(néng)力 | ≥3倍基準量程(≤10MPa); ≥1. 5倍基準量程(>10MPa); ≥1. 25倍基準量程(≥60MPa) | 1* |
3 | 橋路(lù)電阻 | 3~5kΩ |
|
5 | 零點輸出 | ≤ ±25mV | 2* |
6 | 滿量程輸出 | ≥20mV(20kPa、35kPa); ≥30 mV(20kPa、30kPa); ≥50 mV(其它基準量程) | 2* |
7 | 準确度 | ≤ ±0.2%FS (其它基準量程); ≤ ±0.25%FS (≤60kPa、≥60MPa、100MPa) ± 0.5%FS(≤10kPa) | 2*、3* |
8 | 靈敏度對稱性 | ≤ ±0.2%FS | 3* |
9 | 工作(zuò)溫度範圍 | -55~+150℃; |
|
10 | 熱零點漂移 | ≤ 1%FS/55℃(≤10kPa); ≤ 0.8%F.S /55℃(其它基準量程) | 4*、5* |
11 | 熱靈敏度漂移 | ≤2%FS/55℃(≤10kPa); ≤ 1%F.S /55℃(其它基準量程) | 4*、5* |
12 | 短期穩定性 | ≤±0.03%FS/8h | 2* |
13 | 激勵電源 | 恒流0.5~1.5mA,或恒壓5V~10V |
|
14 | 電橋連接形式 | 閉橋 |
|
15 | 芯片表面尺寸 | ≤3.5×2.75(mm) | ≤2.3×2(mm) | ≤1.55×1.55(mm) | 6* |
注:1*. 150MPa量程過載為(wèi)本量程上(shàng)限; 4*. 1mADC恒流激勵,恒溫25℃;
2*. 5VDC恒壓激勵,恒溫25℃; 5*. 55℃溫區為(wèi)-30~25℃或25~80℃;
3*. 非線性數據計算(suàn)為(wèi)最小二乘法; 6*.矽片厚度c=500μm。
可提供定制服務(wù),如(rú)有需求請與營銷人(rén)員(yuán)聯系。