‼️五十年代：奠基
1952年，成立電子(zǐ)計算(suàn)機科研小組，由中科院數學所所長華羅庚負責；
1956年，半導體(tǐ)技術作(zuò)為(wèi)四大緊急措施之一(yī)寫入中科院的學部委員(yuán)們編撰德《十二年科學技術發展遠(yuǎn)景規劃》，獲得批示；
‼️六七十年代：前進
1966年，中科院下(xià)屬109廠與上(shàng)海光學儀器(qì)廠協作(zuò)，研制成功我國第一(yī)台65型接觸式光刻機；
1970年代，中國科學院開始研制計算(suàn)機輔助光刻掩模工藝；
1971年，清華大學精密儀器(qì)系教師徐端頤，回京負責新(xīn)一(yī)代光刻機的研發；
1972年，武漢無線電元件三廠編寫《光刻掩模版的制造》；
1977年，光刻機座談會在江蘇吳縣召開；
1977年，中國第一(yī)台GK-3型半自動接觸式光刻機誕生(shēng)，與國際水平有一(yī)定差距；
1978年，中科院1445所升級開發GK-4，仍為(wèi)接觸式，中美技術差距20年；
‼️八十年代前期：僅次美國，比肩日韓
1980年，徐端頤及其團隊研制第四代分(fēn)步式投影光刻機獲得成功，光刻精度達到3微米，接近國際主流水平；
1981年，中國科學院半導體(tǐ)所研制成功JK-1型半自動接近式光刻機；
1982年，科學院109廠的KHA-75-1光刻機，估計跟當時(shí)最先進的canon相比最多也(yě)就(jiù)不到4年差距；
1984年，“撥改貸”，衆多半導體(tǐ)項目無奈停止；
1985年，中電科45所研制出分(fēn)步投影式光刻機，通過電子(zǐ)部技術鑒定，認為(wèi)達到1978年美國GCA公司推出的4800DSW水平。這(zhè)應當是中國第一(yī)台分(fēn)步投影式光刻機，中國在分(fēn)步光刻機上(shàng)與國外的差距不超過7年。後來(lái)的光刻機巨頭ASML公司剛剛誕生(shēng)。
（國内半導體(tǐ)産業薄弱，雖有光刻機，沒有市(shì)場(chǎng)，也(yě)就(jiù)沒有商(shāng)業化(huà)，機器(qì)都隻是實驗室擺放(fàng)，相關(guān)研究成果及論文，在通過專家評審後即被束之高閣，之後與國外差距越來(lái)越大。“紙上(shàng)談兵”，應該是對這(zhè)個(gè)階段中國光刻機技術的最好(hǎo)(hǎo)注解。）

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