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國産光刻機大事(shì)年表(一(yī))
來(lái)源: | 作(zuò)者:beibo | 發布時(shí)間(jiān): 2023-04-25 | 900 次浏覽 | 分(fēn)享到:
此文描述了(le)國産光刻機的發展曆程,共同學習了(le)解。
國産光刻機大事(shì)年表(一(yī))

‼️五十年代:奠基
1952年,成立電子(zǐ)計算(suàn)機科研小組,由中科院數學所所長華羅庚負責;
1956年,半導體(tǐ)技術作(zuò)為(wèi)四大緊急措施之一(yī)寫入中科院的學部委員(yuán)們編撰德《十二年科學技術發展遠(yuǎn)景規劃》,獲得批示;
‼️六七十年代:前進
1966年,中科院下(xià)屬109廠與上(shàng)海光學儀器(qì)廠協作(zuò),研制成功我國第一(yī)台65型接觸式光刻機;
1970年代,中國科學院開始研制計算(suàn)機輔助光刻掩模工藝;
1971年,清華大學精密儀器(qì)系教師徐端頤,回京負責新(xīn)一(yī)代光刻機的研發;
1972年,武漢無線電元件三廠編寫《光刻掩模版的制造》;
1977年,光刻機座談會在江蘇吳縣召開;
1977年,中國第一(yī)台GK-3型半自動接觸式光刻機誕生(shēng),與國際水平有一(yī)定差距;
1978年,中科院1445所升級開發GK-4,仍為(wèi)接觸式,中美技術差距20年;
‼️八十年代前期:僅次美國,比肩日韓
1980年,徐端頤及其團隊研制第四代分(fēn)步式投影光刻機獲得成功,光刻精度達到3微米,接近國際主流水平;
1981年,中國科學院半導體(tǐ)所研制成功JK-1型半自動接近式光刻機;
1982年,科學院109廠的KHA-75-1光刻機,估計跟當時(shí)最先進的canon相比最多也(yě)就(jiù)不到4年差距;
1984年,“撥改貸”,衆多半導體(tǐ)項目無奈停止;
1985年,中電科45所研制出分(fēn)步投影式光刻機,通過電子(zǐ)部技術鑒定,認為(wèi)達到1978年美國GCA公司推出的4800DSW水平。這(zhè)應當是中國第一(yī)台分(fēn)步投影式光刻機,中國在分(fēn)步光刻機上(shàng)與國外的差距不超過7年。後來(lái)的光刻機巨頭ASML公司剛剛誕生(shēng)。
(國内半導體(tǐ)産業薄弱,雖有光刻機,沒有市(shì)場(chǎng),也(yě)就(jiù)沒有商(shāng)業化(huà),機器(qì)都隻是實驗室擺放(fàng),相關(guān)研究成果及論文,在通過專家評審後即被束之高閣,之後與國外差距越來(lái)越大。“紙上(shàng)談兵”,應該是對這(zhè)個(gè)階段中國光刻機技術的最好(hǎo)(hǎo)注解。)


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