特點：
·數字化(huà)系統協同設計、MEMS工藝制造
·微一(yī)體(tǐ)化(huà)、同步測量壓力和溫度
·一(yī)體(tǐ)化(huà)封裝結構堅固可靠、性能(néng)穩定
·多種壓力與溫度類型組合、量程範圍寬
·适于壓力傳感器(qì)智能(néng)化(huà)
主要性能(néng)技術指标
序号 | 項目 | 規格指标 | 備注 |
1 | 組合敏感類型 | 表壓-溫度 | 絕壓-溫度 | 差壓-靜壓-溫度 | 表壓-絕壓-溫度 |
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2 | 壓力敏感芯片類型 | PN結,SOI |
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3 | 溫度元件類型 | 擴散矽、薄膜鉑電阻 | 1* |
4 | 基準壓力量程 | 表壓、 | 絕壓 | 差壓 | 靜壓 |
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20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa、10MPa、30MPa | 100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa 6MPa、10MPa、30MPa、60MPa | 0～1kPa、6kPa、10kPa、30kPa 、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa | 1MPa、6MPa 10MPa 30MPa | 1* |
| 壓力過載能(néng)力 | 表壓、絕壓單向≥3（≤10MPa）、≥1. 5倍基準量程（＞10MPa）、≥1. 25倍基準量程（≥60MPa） | 差壓雙向≥4倍基準量程 | 2* |
| 被測介質 | 與金(jīn)屬、單晶矽兼容的非腐蝕性、絕緣氣體(tǐ)和液體(tǐ) |
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| 壓力橋路(lù)電阻 | 3～5kΩ、 |
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4 | 零點輸出 | ≤ ±1mV | 3* |
5 | 壓力滿量程輸出 | ≥20mV（20kPa、35kPa）；≥30 mV（20kPa、30kPa）；≥50 mV（其它基準量程） | 3* |
6 | 壓力準确度 | ≤ ±0.25%FS（典型值） | 3*、4* |
7 | 差壓靈敏度對稱性 | ≤ ±0.3%FS（典型值） |
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8 | 工作(zuò)溫度 | -55～+125℃（PN結）,-55～+180℃（SOI） | 5*、1* |
9 | 零點熱漂移 | PN結：≤±1.5%FS/55℃（≤10kPa）；≤±1%F.S /55℃（其它基準量程） | 3*、6* |
SOI：≤± 1%FS/55℃（≤10kPa）≤± 0.8%F.S /55℃（其它基準量程） |
10 | 滿量程熱漂移 | PN結芯片：≤1.5%FS/55℃（≤10kPa）；≤±1%F.S /55℃（其它基準量程） | 3*、6* |
SOI芯片：≤±1%FS/55℃（≤10kPa）≤± 0.8%F.S /55℃（其它基準量程） |
11 | 絕緣電阻 | >100MW | 8* |
12 | 短期穩定性 | ±0.05%FS/8h | 3* |
13 | 長期穩定性 | ≤±0.1%FS/年（PN結）；≤±0.08%FS/年（SOI） | 3* |
14 | 激勵電源 | 恒流0.5～1.5mA,或恒壓5V～10V |
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15 | 熱敏電阻阻值 | 擴散矽40～60kΩ；鉑薄膜Pt100、Pt200、Pt500、Pt500 |
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16 | 熱電阻溫度系數 | 擴散矽≥30Ω/℃；鉑薄膜3850ppm/℃ |
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| 電氣連接模式 | 接插件、多芯線纜 |
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17 | 測量接口形式 | 螺紋、法蘭 |
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注：1*.可用戶定制；
2*.表壓和絕壓量程上(shàng)限之差≤最小量程上(shàng)限3倍；
3*. 5VDC恒壓激勵，恒溫25℃；
4*.非線性數據計算(suàn)為(wèi)最小二乘法；
5*.-55℃為(wèi)器(qì)件最低(dī)溫度，125℃為(wèi)PN結器(qì)件最高溫度；
6*.55℃溫區為(wèi)-30～25℃或25～80；
可提供定制服務(wù)，如(rú)有需求請與營銷人(rén)員(yuán)聯系。
