​​陽北博電子(zǐ)科技有限公司

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BP110系列SOI矽壓阻壓力敏感芯片
    發布時(shí)間(jiān): 2023-10-07 09:26    

數字化(huà)系統協同設計、MEMS工藝制造
SiO2層絕緣隔離擴散矽敏感電阻

BP110系列SOI矽壓阻壓力敏感芯片

 特點:



 ·數字化(huà)系統協同設計、MEMS工藝制造

 ·SiO2層絕緣隔離擴散矽敏感電阻

 ·消除PN結反向飽和漏電流、時(shí)漂特性優化(huà)

 ·适應高寬工作(zuò)溫度範圍

 ·自補償恒流激勵滿量程熱漂移

 ·多種惠斯登電橋開/閉合連接形式

 ·應力匹配玻璃襯片隔離

 ·表壓、絕壓、差壓類型齊全

 ·覆蓋低(dī)、中、高寬壓力測量量程


主要技術指标

 

序号

項目

規格指标

備注

1

基準壓力量程

表壓、差壓

絕壓


0~1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10MPa

100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100Mpa、150MP


2

量程過載能(néng)力

3倍基準量程(10MPa); 1. 5倍基準量程(>10MPa); 1. 25倍基準量程(60MPa)

1*

3

橋路(lù)電阻

3~5kΩ


5

零點輸出

±25mV

2*

6

滿量程輸出

≥20mV(20kPa、35kPa);  ≥30 mV(20kPa、30kPa);

  ≥50 mV(其它基準量程)

2*

7

準确度

±0.2%FS (其它基準量程)   ±0.25%FS (≤60kPa、60MPa、100MPa

 ± 0.5%FS(≤10kPa)

2*3*

8

靈敏度對稱性

±0.2%FS

3*

9

工作(zuò)溫度範圍

-55~+150℃;


10

熱零點漂移

1%FS/55℃(≤10kPa);      ≤ 0.8%F.S /55℃其它基準量程)

4*5*

11

熱靈敏度漂移

2%FS/55℃(≤10kPa)       ≤ 1%F.S /55℃其它基準量程)

4*5*

12

短期穩定性

±0.03%FS/8h

2*

13

激勵電源

恒流0.5~1.5mA,或恒壓5V~10V


14

電橋連接形式

閉橋


15

芯片表面尺寸

≤3.5×2.75mm)

≤2.3×2mm)

≤1.55×1.55mm)

6*


 

                  注:1*. 150MPa量程過載為(wèi)本量程上(shàng)限;          4*. 1mADC恒流激勵,恒溫25℃

                             2*. 5VDC恒壓激勵,恒溫25℃;                5*. 55℃溫區為(wèi)-30~25℃或25~80℃;

                             3*. 非線性數據計算(suàn)為(wèi)最小二乘法;            6*.矽片厚度c=500μm


可提供定制服務(wù),如(rú)有需求請與營銷人(rén)員(yuán)聯系。


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